透過挖角行為來竊取營業秘密是企業必須注意的問題。企業更應監控中高階主管的離職後發展。本文介紹二則產業案例，案例一涉及中階主管被挖角而為新公司竊取營業秘密，而案例二則為高階主管先被挖角，而後進一步從原公司挖角中階主管並竊取營業秘密。

圖片來源 : shutterstock、達志影像

案例一：化學產業

在智慧財產及商業法院110年度刑智上重訴字第5號刑事判決（裁判日期：2022年3月2日）中，被害公司為LS公司，而系爭營業秘密涉及「熱塑性聚酯彈性體」（thermoplastic polyester elastomer，TPEE）技術資料。本案被告HuZY從2008年7月7日起至2014年10月1日止任職於LS公司，並在高雄廠中從生產三部技術組的助理工程師做起，而後在該組升為副工程師，之後進一步轉至研發部研究開發部門且仍為副工程師，而後晉升為副課長。被告曾負責TPEE之研發測試、製程安全管理、建廠專案與技術改良等任務。

在2014年5月17日，被告HuZY受C國某市YP經貿公司總經理Hsu邀約，赴C國參觀位於某省之HSL公司，而於過程中，Hsu表示希望被告能協助銷售TPEE。值得注意者是YP經貿公司乃LS公司在C國投資之貿易公司的經銷商。返國後，被告於2014年5月22日近晚上8點時，在LS公司高雄廠內，將其所持有之LS公司針對數間公司等所設之產品指標、規格、批號及物理性質等「TPEE外產品excel檔」，從其公司電子信箱寄到私人電子信箱。

在2014年6月22日，被告HuZY應HSL公司總經理ShuGH之邀約，再次赴C國參觀HSL公司；於過程中，被告、ShuGH與Hsu等三人簽訂「合股協議書」，約定被告可取得HSL公司之子公司10%股份，並擔任該子公司技術部負責人，以負責處理TPEE之技術問題。被告於同月返國後隨即向LS公司提出辭呈。被告再於同年7月10日傍晚，擅自拍攝高雄廠內之反應釜、冷凝器、造粒設備等TPEE生產設備照片，並利用其公司電子信箱將該些照片寄至其私人電子信箱。

在2014年8月3日中午，被告HuZY在高雄廠內繼續利用公司電子信箱，擅自將其持有之關於TPEE市場應用資料寄至其私人電子信箱。被告於隔日再度提出辭呈，而後於同年9月22日簽署「技術機密保密同意書」，以示其同意於離職前將返還其所持有之LS公司相關資料且不得保有該些資料；被告最後於同年10月1日離職，卻未依約刪除或銷毀其所持有之LS公司資料。

被告HuZY於2014年10月10日前往C國，而後開始在HSL公司任職，以協助TPEE產品之研發與生產。被告更於同月12日在C國將其所持有之LS公司之TPEE反應釜總圖中所示之某F公司（繪圖公司）與LS公司高雄廠等文字隱匿，而再利用其私人電子信箱將該資訊隱匿後之反應釜總圖寄給ShuGH。在被告犯行被揭發前一年，被告於2016年7月14日，將相關LS公司的資料由隨身碟重製至其筆電內。

被告HuZY之犯行係經LS公司檢視被告的公司電子信箱所寄出的資料而曝光，而LS公司隨即向法務部調查局高雄市調查處提出告訴。於2017年2月2日，該處調查局幹員前往被告住處執行搜索，而扣得相關證物。

經檢察官於臺灣高雄地方法院起訴被告HuZY後，該地院於107年度智訴字第1號刑事判決（裁判日期：2021年1月14日）中判被告構成二項營業秘密法第13條之2第1項之罪，且行為皆涉及第13條之1第1項第2款之行為。本案上訴至智商法院，而該智商法院維持原二項有罪判決。不過就「意圖在境外使用」要件，本案智商法院並無明顯論述。本案經最高法院111年度台上字第2871號刑事判決（裁判日期：2022年7月14日）維持原有罪判決。

案例二：半導體產業

在智慧財產及商業法院109年度刑智上重訴字第4號刑事判決（裁判日期：2022年1月27日）中，本案犯行起始於LW公司在2016年1月間與外國ZH公司洽談開發32奈米與32S奈米動態隨機存取記憶體（dynamic random-access memory，DRAM）的製程技術；其中ZH公司將出資3億美元的研發設備採購費，並於後依開發進度而支付LW公司共4億美元。在該技術開發完成後，LW公司將移轉該技術至ZH公司。

LW公司於同年3月11日向經濟部投資審議委員會申請核可該合作案，並於同年4月12日以經審二字第10500055030號函核准。為執行該計畫，LW公司於同年1月間在南部科學園區的工廠Fab12A第二廠區內成立「新事業發展中心」（New Business Development，NBD），並交由資深副總經理ChenZK主導。

ChenZK原為TMK公司的董事長，其於2015年7月31日由TMK公司離職後，在同年9月間受聘於LW公司。值得注意者，雖ChenZK非本案之被告，但卻在2018年間因同一事件而遭美國司法部以違反《經濟間諜法》（Economic Espionage Act，EEA）的罪刑而起訴。

本案被告包括HoZT、WangUM、RongLT、與LW公司等，案發當時前三者為LW公司的員工。被告RongLT為「專案技術二處」（稱PM2）的協理。PM2設於NBD之下，並有「製程整合一部」（稱PI1）、「製程整合二部」（稱PI2）、「缺陷分析管理部」（稱DM）及「元件部」（稱Device）。

被告HoZT與WangUM等人為ChenZK所招募而進入LW公司。HoZT原為TMK公司的量產整合部課長，但於2015年10月15日離職。HoZT在2015年11月5日至LW公司任職，且後在2016年4月間於PM2部門下擔任PI1經理。不過，HoZT何時被招募則不明。

HoZT在於TMK公司任職期間，曾由TMK公司與MK公司的伺服器中下載MK公司的DRAM製程相關資訊，並持有其他技術資訊的紙本資料。HoZT於離職未依照其與TMK公司間的契約，以將紙本資料繳回或將數位資訊等銷毀，卻攜帶至LW公司並利用在DRAM製程的研發活動中。在2017年2月7日，調查局幹員於LW公司的廠區內與配發給HoZT之筆電中，發現HoZT所攜出的TMK公司的技術資訊，進而暴露其犯行。

另WangUM原為TMK公司的品質工程部副理（2016年1月15日到任，而之前是製程整合部副理），其在2016年1月至2月間與當時在NBD任職的HoZT聯繫，而知道LW公司與ZH公司間的DRAM技術開發計畫、及對元件人才的需求。之後，WangUM透過HoZT向LW公司提交履歷表，並於同年3月5日至LW公司與人資部門主管和RongLT等人面試，且當日的討論有觸及未來有機會前往C國替ZH公司發展DRAM製程。WangUM在3月25日收到LW公司的錄取通知後，於4月5日向TMK公司提出辭職，並於4月26日離職。不過，WangUM於LW公司的到職日不明。

WangUM在2016年3月25日收到LW公司的聘僱要約後，即開始和HoZT討論LW公司研發DRAM製程技術上的問題。在同年4月5日向TMK公司提出辭呈後，WangUM竟於同月16日至23日間之某日，透過公司配給的筆電而由TMK公司與MK公司的伺服器下載DRAM製程的技術資訊，但身為品質工程部副理的WangUM僅有閱讀的權限。除了下載行為，WangUM還擅自將該技術資訊儲存在個人的裝置並攜回住所、及上傳至網路雲端的儲存地點。

臺灣臺中地方檢察署於2017年9月間，以侵害MK公司（即TMK公司的美國母公司）的營業秘密為由，而以犯侵害營業秘密罪等罪嫌起訴該些被告。本案一審判決（臺灣臺中地方法院106年度智訴字第11號刑事判決，裁判日期為2020年6月12日）認三個自然人被告的罪責為犯第13條之2第1項之意圖在境外使用罪，但具體行為是（1）HoZT有第13條之1第1項第2款之「逾越授權範圍而使用」；（2）WangUM屬第13條之1第1項第1款之「洩漏營業秘密」；（3）RongLT有第13條之1第1項第4款之「明知他人知悉並持有之營業秘密係以擅自重製方法取得，仍使用」。至於LW公司，則因其受雇人即其他三個被告等犯罪成立而依第13條之4之規定，科以罰金。

本案二審判決（智慧財產及商業法院109年度刑智上重訴字第4號刑事判決，裁判日期為2022年1月27日）卻改判被告HoZT與WangUM僅分別犯第13條之1第1項第2款與第1款之罪、且RongLT無罪。另LW公司仍有第13條之4之罪責。所幸該見解被最高法院於111年度台上字第3655號刑事判決所廢棄。

離職必要措施

藉由案例一與案例二，警示企業對於中高階主管離職程序應更嚴謹，除了詢問離職後的去向外，檢視公司內或私人電子信箱、或雲端儲存的通訊記錄是必要的。公司有權利監看內部資訊；至於員工私人郵件可透過僱佣契約要求揭露。如果欲離職員工拒絕揭露私人資訊，則因為營業秘密法有處罰未遂行為，搭配該員工不當重製公司資訊的行為，可舉出相關證據而立刻向調查局舉報，讓調查局啟動犯罪偵辦與監控。

責任編輯：吳碧娥

【本文僅反映專家作者意見，不代表本報立場。】

作者： 陳秉訓 現任： 國立政治大學科技管理與智慧財產研究所教授 經歷： 國立台北科技大學智慧財產權研究所助理教授 華邦電子公司製程工程師 聯華電子公司製程整合研發工程師 台灣茂矽電子公司專利工程師 禹騰國際智權公司專利工程師 威盛電子公司專利工程師 亞太國際專利商標事務所專案副理 學歷： 美國聖路易華盛頓大學法律博士 美國聖路易華盛頓大學智慧財產暨科技法律法學碩士 政治大學法律科際整合研究所法學碩士 台灣大學化工所碩士 台灣大學化工系

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